• J 系列特點：基於SJN-2代平臺，採用相對保守設計，晶片尺寸比SJN-1代低20%，兼顧了產品EMI、UIS方面性能。
• J2 系列特點：基於SJN-2代平臺，追求更低的單位面積電阻Rsp，晶片尺寸比J系列低10~15%左右，有良好的開關性能和成本優勢。
• J3 系列特點：基於SJN-3代平臺，採用Trench Gate設計，追求更加極限的導通電阻，工藝調試中。
Superjunction MOSFETs - J/J2/J3 系列
Superjunction MOSFETs - J/J2/J3 系列
詳細介紹
• J 系列特點：基於SJN-2代平臺，採用相對保守設計，晶片尺寸比SJN-1代低20%，兼顧了產品EMI、UIS方面性能。
• J2 系列特點：基於SJN-2代平臺，追求更低的單位面積電阻Rsp，晶片尺寸比J系列低10~15%左右，有良好的開關性能和成本優勢。
• J3 系列特點：基於SJN-3代平臺，採用Trench Gate設計，追求更加極限的導通電阻，工藝調試中。