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HV Planar MOSFETs - P/ P2系列

HV Planar MOSFETs - P/ P2系列
詳細介紹
• P系列產品：Gen1 產品，優化了終端環的耐壓結構，使得終端區域長度比同類產品小40~50%，單位面積電阻Rsp比競爭對手同規格產品小12~15%，具有較強的抗電流衝擊和雪崩耐量能力。
• 最新P2系列產品：Gen2 產品，優化了晶片原胞結構，降低了晶片內阻和寄生電容，單位面積電阻Rsp比P1系列小~10%



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